СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Энергия связи экситонных молекул (ЭМ)
3. Экситонные молекулы в полупроводниках с непрямой запрещенной зоной (Si и Ge)
а) Излучательный распад ЭМ в одноосно сжатых кристаллах Si и Ge
б) Форма спектра излучения ЭМ при непрямой аннигиляции
в) Энергия связи ЭМ в Si и Ge (экспериментальные методы)
г) Ударная диссоциация ЭМ свободными носителями в слабом электрическом поле
д) ЭМ в полупроводниках с различным числом электронных долин
е) Многоэкситонные молекулы
4. Экситонные молекулы в магнитном поле (Si и Ge)
а) Краткое введение
б) Непрямые экситоны в магнитном поле
в) Диамагнитная восприимчивость ЭМ
г) ЭМ в сильном магнитном поле
5. Экситонные молекулы в прямозонных полупроводниках
а) Индуцированное светом превращение экситона в биэкситон
б) Гигантское двухфотонное поглощение с рождением биэкситона
в) Поляритонные эффекты
г) Индуцированная биэкситонами реабсорбция. Дисперсия биэкситонов
д) Гиперкомбинационное рассеяние через промежуточное биэкситонное состояние
е) Перестройка диэлектрической функции вблизи двухфотонного биэкситонного резонанса
ж) Четырехволновое смешивание в спектральной области двухфотонного поглощения с рождением биэкситона
6. Заключение
Список литературы