Выпуски

 / 

1985

 / 

Июль

  

Совещания и конференции


Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

30 и 31 января 1985 г. в Физическом институте им. П. Н. Лебедева АН СССР состоялась совместная научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики АН СССР. На сессии были заслушаны доклады:

30 января
1. С. М. А п е н к о, Ю. Е. Л о з о в и к, В. М. Ф а р з т д и н о в. Двумерный электронный газ в сильных магнитных полях и квантованный эффект Холла.
2. Ю. А. Б ы ч к о в, Э. И. Р а ш б а. Спектр двумерного электронного газа в инверсионных слоях.
3. В. М. П у д а л о в , С. Г. С е м е н ч и н с к и й . Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления.
4. В. С. П у д а л о в, С. Г. С е м е н ч и н с к и й, В. С. Э д е л ь м а н. Заряд и потенциал инверсионного слоя МДП-структуры в квантующем магнитном поле.

31 января
5. А. И. Б у р ш т е й н. Коллапс и сужение спектров при конденсации газов.
6. А. В. З а л е с с к и й . Доменные стенки в магнетиках по данным ЯМР спектроскопии.
Краткое содержание пяти докладов приводится ниже.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.20.My, 73.40.Qv, 73.43.Fj (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0146.198507g.0534
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/7/g/
Цитата: Пудалов В М, Семенчинский С Г "Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления" УФН 146 534–536 (1985)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления
AU Пудалов, В. М.
AU Семенчинский, С. Г.
PB Успехи физических наук
PY 1985
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 146
IS 7
SP 534-536
UR https://ufn.ru/ru/articles/1985/7/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0146.198507g.0534

English citation: Pudalov V M, Semenchinskii S G “Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistanceSov. Phys. Usp. 28 634–635 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n07ABEH003876

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение