В обзоре изложены результаты экспериментальных и теоретических работ, посвященных обнаружению и исследованию глубоких уровней, связанных с примесями и собственными дефектами в полупроводниках типа A^IVB^V I. Наиболее детально обсуждаются примеси III группы. Эксперименты (электрофизические, оптические, теплофизические) свидетельствуют о существовании локализованных и резонансных состояний в материалах, легированных индием и таллием, а также (менее однозначно) галлием и алюминием. При легировании индием особенно ярко проявляется стабилизация химического потенциала, приводящая к исключительно высокой электрической однородности образцов, обнаружена долговременная релаксация концентрации неравновесных электронов. Уровень Ферми существенно изменяется с составом материала, температурой, давлением. При легировании таллием обнаружены сильное резонансное рассеяние дырок, электронная примесная теплоемкость и сверхпроводимость, обусловленные наличием резонансных состояний. Сделан обзор теоретических и экспериментальных данных о локализованных и резонансных состояниях, связанных с вакансиями и комплексами собственных дефектов, а также с примесями переходных металлов, висмута, кадмия, олова, германия. Обсуждаются генезис уровней, энергия взаимодействия электронов на примесном центре, механизмы релаксации, сверхпроводимости. Табл. 1, ил. 18, библиогр. ссылок 121 (133 назв.).

RT Journal
T1 Deep and resonance states in AIV BVI semiconductors
A1 Kaidanov,V.I.
A1 Ravich,Yu.I.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1985
FD 10 Jan, 1985
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 145
IS 1
SP 51-86
DO 10.3367/UFNr.0145.198501b.0051
LK https://ufn.ru/ru/articles/1985/1/b/