Выпуски

 / 

1984

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Электронные свойства вискеров

В том случае, когда длина свободного пробега электронов проводимости в металле l∞ становится сравнимой с толщиной образца d, возникают различного рода размерные эффекты. Для изучения этих эффектов в наиболее чистых условиях применяются нитевидные кристаллы — усы (вискеры). При низких; температурах для вискеров легко достигаются условия, когда l∞ $\gg$ d. При этом взаимодействие электронов с поверхностью оказывается определяющим, что-приводит к существенному изменению электронных свойств, характерных для обычных массивных (d $\gg$ l) образцов. В обзоре рассмотрены экспериментальные результаты изучения влияния размеров на электрическое сопротивление вискеров, позволяющие делать заключение о степени зеркальности отражения электронов от поверхности. В магнитном поле при условии l∞ $\gg$ d, r теорией были предсказаны новые явления, такие, как скинирование постоянного тока в тонком (порядка ларморовского радиуса r) приповерхностном слое образца, изменение квантовых эффектов при r > d и др. В обзоре описываются эксперименты на вискерах, в которых обнаруживаются эти явления. Описываются также эксперименты, в которых используется высокая (близкая к теоретическому пределу) прочность вискеров для исследования электронных переходов 2½ рода. Илл. 26, библиогр. ссылок 55 (63 назв.).

Текст pdf (1,8 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1984v027n04ABEH004042
PACS: 72.15.Lh, 72.30.+q, 68.49.Jk, 72.15.Eb (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0142.198404b.0571
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1984/4/b/
Цитата: Гайдуков Ю П "Электронные свойства вискеров" УФН 142 571–597 (1984)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gaidukov Yu P “Electronic properties of whiskersSov. Phys. Usp. 27 256–272 (1984); DOI: 10.1070/PU1984v027n04ABEH004042

Статьи, ссылающиеся на эту (18) ↓ Похожие статьи (20)

  1. WANG Zekun, WANG Shiming Chinese Journal of Aeronautics 36 (9) 1 (2023)
  2. Rabadanov M R, Stepurenko A A et al Semiconductors 55 (6) 551 (2021)
  3. Goncharova A S, Napolskii K S et al Phys. Chem. Chem. Phys. 22 (26) 14953 (2020)
  4. Bachmann M D Manipulating Anisotropic Transport and Superconductivity by Focused Ion Beam Microstructuring Springer Theses Chapter 3 (2020) p. 35
  5. Condrea E, Gilewski A, Muntyanu F Indian J Phys 91 (8) 895 (2017)
  6. Condrea E, Gilewski A, Nicorici A Physics Letters A 380 (11-12) 1210 (2016)
  7. Agafonov A I Int. J. Mod. Phys. B 29 (29) 1550206 (2015)
  8. Condrea E, Nicorici A et al J Low Temp Phys 174 (5-6) 232 (2014)
  9. Nikolaeva A, Konopko L et al Surf. Engin. Appl.Electrochem. 50 (1) 57 (2014)
  10. Condrea E, Gilewski A, Nicorici A J. Phys.: Condens. Matter 25 (20) 205303 (2013)
  11. Soshnikov I P, Cirlin G É et al Phys. Solid State 47 (12) 2213 (2005)
  12. Grozav A D, Condrea E J. Phys.: Condens. Matter 16 (36) 6507 (2004)
  13. Varshava S S, Virt I S et al Inorganic Materials 38 (4) 336 (2002)
  14. Margulis V A, Piterimova T V, Gaiduk E A Physica B: Condensed Matter 324 (1-4) 90 (2002)
  15. Makarov N M, Moroz A V, Yampol’skii V A Phys. Rev. B 52 (8) 6087 (1995)
  16. Cherepanov A N, Marchenkov V V et al J Low Temp Phys 80 (3-4) 135 (1990)
  17. Cherepanov A N, Marchenkov V V et al Soviet Journal of Low Temperature Physics 15 (4) 234 (1989)
  18. Kaner É A, Snapiro I B, Yampol’skii V A Soviet Journal of Low Temperature Physics 11 (5) 259 (1985)

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение