Выпуски

 / 

1983

 / 

Сентябрь

  

Совещания и конференции


Низкотемпературная кинетика электронов проводимости в металлах и полупроводниках


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Расширенное заседание бюро Отделения общей физики и астрономии Академии наук СССР (16 февраля 1983 г.)

16 февраля 1983 г. в Институте физики твердого тела АН СССР (Черноголовка, Московская обл.) состоялось расширенное заседание бюро Отделения общей физики и астрономии, посвященное 20-летию Института физики твердого тела АН СССР. На заседании были заслушаны доклады:

1. Вступительное слово академика-секретаря ООФА АН СССР А. М. Прохорова.
2. Ю. А. Осипьян. Основные направления исследований в ИФТТ АН СССР.
3. В. Ф. Гантмахер. Низкотемпературная кинетика электронов проводимости в металлах и полупроводниках.
4. Е. Г. Понятовский. Фазы высокого давления в конденсированных системах и системах металл-газ.
5. С. Т. Милейко. Волокнистые композиты с металлической и керамической матрицами.
6. В. А. Татарченко. Профилированные кристаллы: выращивание и применение.
Приводится краткое содержание четырех докладов.

Текст pdf (220 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1983v026n09ABEH004501
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0141.198309e.0177
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/9/e/
Цитата: Гантмахер В Ф "Низкотемпературная кинетика электронов проводимости в металлах и полупроводниках" УФН 141 177–178 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Gantmakher:1983,
	author = {V. F. Gantmakher},
	title = {Low-temperature kinetics of conduction electrons in metals and semiconductors},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1983},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {141},
	number = {9},
	pages = {177-178},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1983/9/e/},
	doi = {10.3367/UFNr.0141.198309e.0177}
}

English citation: Gantmakher V F “Low-temperature kinetics of conduction electrons in metals and semiconductorsSov. Phys. Usp. 26 845–846 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n09ABEH004501

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение