Выпуски

 / 

1983

 / 

Август

  

Обзоры актуальных проблем


Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
I. Природа электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках различной размерности
1. Введение. Критерий локализации. 2. Масштабная теория локализации. 3. Предельные формы функции β(g). Термические и неомические эффекты. 4. Качественное исследование уравнения (2.7). Локализация состояний при d = 1, 2. 5. Проблема минимальной металлической проводимости (d = 3). 6. Степенная локализация в двумерной системе.
II. Многоэлектронные эффекты в физике неупорядоченных систем
7. Введение. 8. Взаимодействие между делокализованными электронами или только рассеяние на примеси? 9. Проблема кулоновской щели.
III. «Хвост» коэффициента междузонного поглощения света в неупорядоченном полупроводнике. 10. Введение. 11. Фононы и статический беспорядок. 12. Случайное поле и правило Урбаха. 13. Правило Урбаха в аморфном кремнии.
Приложения
I. Поправки к результатам кинетического уравненияпри Т → 0. II. О роли температурной зависимости плотности состояний при низких температурах.
Цитированная литература

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.25.Mg, 71.50.+t
DOI: 10.3367/UFNr.0140.198308b.0583
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1983/8/b/
Цитата: Бонч-Бруевич В Л "Вопросы электронной теории неупорядоченных полупроводников" УФН 140 583–637 (1983)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Bonch-Bruevich V L “Problems of the electron theory of disordered semiconductorsSov. Phys. Usp. 26 664–695 (1983); DOI: 10.1070/PU1983v026n08ABEH004482

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение