Выпуски

 / 

1980

 / 

Сентябрь

  

К 100-летию со дня рождения А.Ф. Иоффе


Переход полупроводник — металл в жидких полупроводниках

,  а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена 106, Екатеринбург, 620016, Российская Федерация

Содержание: Введение. Теоретические модели перехода полупроводник — металл в неупорядоченных системах. Переход полупроводник — металл в расплавах полупроводников при высоких температурах. Переход полупроводник — металл и критерий минимальной металлической проводимости в ряду расплавов при T ≳ Tпл. Переход металл — полупроводник в окрестностях критической точки металлов и полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (3,1 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1980v023n09ABEH005855
PACS: 72.60.+g, 72.80.Ph, 72.20.Pa, 71.25.Lf (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0132.198009c.0047
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/9/c/
Цитата: Алексеев В А, Андреев А А, Садовский М В "Переход полупроводник — металл в жидких полупроводниках" УФН 132 47–90 (1980)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Semiconductor–metal transition in liquid semiconductors
AU Alekseev V A
FAU Alekseev VA
AU Andreev A A
FAU Andreev AA
AU Sadovskii M V
FAU Sadovskii MV
DP 10 Sep, 1980
TA Usp. Fiz. Nauk
VI 132
IP 9
PG 47-90
RX 10.3367/UFNr.0132.198009c.0047
URL https://ufn.ru/ru/articles/1980/9/c/
SO Usp. Fiz. Nauk 1980 Sep 10;132(9):47-90

English citation: Alekseev V A, Andreev A A, Sadovskii M V “Semiconductor-metal transition in liquid semiconductorsSov. Phys. Usp. 23 551–575 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n09ABEH005855

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение