Выпуски

 / 

1980

 / 

Сентябрь

  

К 100-летию со дня рождения А.Ф. Иоффе


Переход полупроводник — металл в жидких полупроводниках

,  а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Институт электрофизики УрО РАН, ул. Амундсена 106, Екатеринбург, 620016, Российская Федерация

Содержание: Введение. Теоретические модели перехода полупроводник — металл в неупорядоченных системах. Переход полупроводник — металл в расплавах полупроводников при высоких температурах. Переход полупроводник — металл и критерий минимальной металлической проводимости в ряду расплавов при T ≳ Tпл. Переход металл — полупроводник в окрестностях критической точки металлов и полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 72.60.+g, 72.80.Ph, 72.20.Pa, 71.25.Lf (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0132.198009c.0047
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/9/c/
Цитата: Алексеев В А, Андреев А А, Садовский М В "Переход полупроводник — металл в жидких полупроводниках" УФН 132 47–90 (1980)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Semiconductor–metal transition in liquid semiconductors
AU Alekseev, V. A.
AU Andreev, A. A.
AU Sadovskii, M. V.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1980
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 132
IS 9
SP 47-90
UR https://ufn.ru/ru/articles/1980/9/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0132.198009c.0047

English citation: Alekseev V A, Andreev A A, Sadovskii M V “Semiconductor-metal transition in liquid semiconductorsSov. Phys. Usp. 23 551–575 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n09ABEH005855

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение