Выпуски

 / 

1980

 / 

Июль

  

Обзоры актуальных проблем


Поверхность с высокими кристаллографическими индексами — сверхрешетка для двумерных электронов

 а,  б,
а Институт радиотехники и электроники РАН, ул. Моховая 11, корп. 7, Москва, 125009, Российская Федерация
б Государственный научный центр Российской Федерации «Институт физики высоких энергий», ул. Победы 1, Протвино, Московская обл., 142280, Российская Федерация

Содержание: Введение. Основные сведения о двумерном электронном газе в инверсионных слоях на (OOl)Si. Введение в теорию ориентационных сверхрешеток. Экспериментальные данные для инверсионных слоев на поверхностях кремния с высокими индексами Миллера. Статическая электропроводность. Явления в сильных магнитных полях. Оптические свойства в инфракрасной области. Величина минищелей. Обсуждение результатов. Заключение. Дополнение. Цитированная литература.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 73.20.Cw, 73.25.+i
DOI: 10.3367/UFNr.0131.198007d.0423
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/7/d/
Цитата: Волков В А, Петров В А, Сандомирский В Б "Поверхность с высокими кристаллографическими индексами — сверхрешетка для двумерных электронов" УФН 131 423–440 (1980)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov V A, Petrov V A, Sandomirskii V B “The high-index surface—a superlattice for two-dimensional electronsSov. Phys. Usp. 23 375–385 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n07ABEH005116

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение