Примесные H<sup>−</sup>-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках

Содержание: Введение. Экспериментальные данные по субмиллиметровой фотопроводимости Ge и Si. Модели комплексов с участием H⁻-подобных центров. Анализ экспериментальных результатов по фотопроводимости. Заключение. Приложение. Цитированная литература.

Текст pdf (1,6 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1980v023n10ABEH005041

PACS: 61.70.Wp
DOI: 10.3367/UFNr.0132.198010g.0353
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1980/10/g/
Цитата: Гершензон Е М, Мельников А П, Рабинович Р И, Серебрякова Н А "Примесные H⁻-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках" УФН 132 353–378 (1980)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI H^–-like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors
AU Gershenzon, E. M.
AU Mel’nikov, A. P.
AU Rabinovich, R. I.
AU Serebryakova, N. A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1980
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 132
IS 10
SP 353-378
UR https://ufn.ru/ru/articles/1980/10/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0132.198010g.0353

English citation: Gershenzon E M, Mel’nikov A P, Rabinovich R I, Serebryakova N A “H^--like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 23 684–698 (1980); DOI: 10.1070/PU1980v023n10ABEH005041

Выпуски

/

1980

/

Октябрь

← →

Примесные H−-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках

Примесные H⁻-подобные центры и обусловленные ими молекулярные комплексы в полупроводниках