Содержание: Введение. Теоретические основы дифракционных исследований некристаллических веществ. Случай статистически однородного простого неограниченного объекта. Случай статистически однородного простого ограниченного объекта. Многокомпонентные некристаллические вещества. Частный случай бинарных расплавов. Результаты исследований структуры ближнего порядка полупроводников в некристаллических состояниях. Жидкие полупроводники (расплавы). Элементарные полупроводники. Полупроводники типа А^IIIВ^V. Полупроводниковые соединения систем А^III-В^VI. Полупроводники типа A^IVB^VI. Расплавы системы мышьяк-сера. Полупроводники типа Sb₂B₃^VI. Полупроводники типа A^VB₃^VII. Стеклообразные полупроводники. Халькогены. Сплавы системы мышьяк-сера и мышьяк-селен. Халькогениды германия. Сплавы систем A^IV-B^V-C^VI. Халькогалогениды мышьяка. Аморфные пленки полупроводников. Элементарные полупроводники. Полупроводники типа A^IIIB^V. Полупроводники типа A^IIIB^VI. Полупроводники типа A^IVB^VI. Полупроводники типа A₂^VB₃^VI. Полупроводники типа A^IIB^IVC₂^V. Основные черты общих закономерностей структурообразования некристаллических полупроводников. Роль исходной структуры кристалла в формировании структуры ближнего порядка расплавов. Классификация расплавов. Изменения ближнего порядка при переходе по типу полупроводник — металл. Изменения ближнего порядка при переходе по типу полупроводник-полупроводник. Изменения ближнего порядка при переходе расплав-стекло. Изменения ближнего порядка при переходе кристалл-(пар)-аморфная пленка. Цитированная литература.