RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1974

 / 

Май

←  →

Физика наших дней


Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения


Содержание: Введение. Специфические свойства широкозонных полупроводников AIIBVI, обусловливающие их техническую перспективность. Основные направления в применении широкозонных полупроводников AIIBVI. Цитированная литература.

Текст pdf (1,7 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1974v017n03ABEH004142
PACS: 73.40.Lq, 78.60.Fi, 85.30.−z, 61.72.Ji (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0113.197405e.0129
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1974/5/e/
Цитата: Георгобиани А Н "Широкозонные полупроводники AIIBVI и перспективы их применения" УФН 113 129–155 (1974)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Georgobiani A N “Wide-band II-VI semiconductors and the prospects of their application” Sov. Phys. Usp. 17 424–437 (1974); DOI: 10.1070/PU1974v017n03ABEH004142

Статьи, ссылающиеся на эту (32) ↓ Похожие статьи (2)

  1. Benkhali M, Kharbach Ja et al Physica B: Condensed Matter 695 416517 (2024)
  2. Ranjan P, Nanda P et al Electron Density 1 (2024) p. 265
  3. Opanasyuk A, Kurbatov D et al Handbook of II-VI Semiconductor-Based Sensors and Radiation Detectors Chapter 2 (2023) p. 35
  4. Sukkabot W IEEE Trans. Magn. 56 1 (2020)
  5. Bacherikov Yu, Kuchuk A et al Journal of Luminescence 145 970 (2014)
  6. Sofronov D S, Kamneva N N et al Inorg Mater 50 651 (2014)
  7. Ryzhikov V, Grinyov B et al Journal of Crystal Growth 364 111 (2013)
  8. Opanasyuk A S, Kurbatov D I et al Crystallogr. Rep. 57 927 (2012)
  9. Krylov P N, Gilmutdinov F Z et al Semiconductors 45 1512 (2011)
  10. Valeev R G, Bel’tyukov A N et al Tech. Phys. 56 896 (2011)
  11. Ekuma E C, Franklin L et al Physica B: Condensed Matter 406 1477 (2011)
  12. Abduev A Kh, Akhmedov A K et al Semiconductors 44 32 (2010)
  13. Georgobiani A N, Levonovich B N, Avetisov I Kh Inorg Mater 46 598 (2010)
  14. Kuznetsov V A Semiconductors 44 1117 (2010)
  15. Rokakh A G, Matasov M D, Zhukov A G Nanotechnol Russia 5 390 (2010)
  16. Abdinov A Sh, Jafarov M A, Mamedova S A Inorg Mater 43 233 (2007)
  17. Meteleva Yu V, Radychev N A, Novikov G F Inorg Mater 43 455 (2007)
  18. Makhny V P, Grivul V I Semiconductors 40 774 (2006)
  19. Reshak A H 124 (10) (2006)
  20. Radychev N A, Novikov G F Russ Chem Bull 55 766 (2006)
  21. Komashchenko A V, Komashchenko V N et al Semiconductors 36 286 (2002)
  22. Georgobiani A N, Aminov U A et al Inorg Mater 36 119 (2000)
  23. Georgobiani A N, Aminov U A et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 426 164 (1999)
  24. Galstyan V G, Deigen M I et al Growth of Crystals Chapter 9 (1991) p. 127
  25. Mandelis A, Lo W, Wagner R E Appl. Phys. A 44 123 (1987)
  26. Dioszeghy T, Mandelis A Journal of Physics and Chemistry of Solids 47 1115 (1986)
  27. Birchak I, Serdyuk V V et al Soviet Physics Journal 26 506 (1983)
  28. Stoffel N G Phys. Rev. B 28 3306 (1983)
  29. Mora S, Romeo N, Tarricone L Nuov Cim B 60 97 (1980)
  30. Georgobiani A N, Todua P A Exciton and Domain Luminescence of Semiconductors / Eksitonnaya i Domennaya Lyuminestsentsiya Poluprovodnikov / Экситонная И Доменная Люминесценция Полупроводников Chapter 2 (1979) с. 21
  31. Palatnik L S, Kopach G I, Sokol A A Soviet Physics Journal 21 780 (1978)
  32. Kononenko V K J Appl Spectrosc 23 1269 (1975)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение