RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1974

 / 

Январь

←  →

Обзоры актуальных проблем


Магнитофононный резонанс в полупроводниках

, , ,

Содержание: Введение. Магнитофононные осцилляции поперечного магнитосопротивления. Проводимость в поперечном магнитном поле. Характерные особенности МФ осцилляции. Амплитуды МФ осцилляций σxx. Экспериментальные результаты для МФР σxx. Магнитофононные осцилляции продольного магнитосопротивления. Проводимость в продольном магнитном поле.Температурный сдвиг МФ экстремумов. Псевдорезонансы продольного магнитосопротивления. МФ осцилляции в вырожденных олупроводниках. МФ осцилляции при смешанном рассеянии. МФР в полупроводниках с нестандартной формой зон.Неквадратичный изотропный закон дисперсии. Аизотропный квадратичный закон дисперсии. Анизотропный неквадратичный закон дисперсии. Магнитофононные осцилляции других кинетических коэффициентов. Термомагнитные эффекты и эффект Холла. МФР на горячих электронах. МФ осцилляции фотомагнитного эффекта и фотопроводимости. Заключение. Приложение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,3 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1974v017n01ABEH004314
PACS: 72.20.My, 63.20.Kr (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0112.197401a.0003
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1974/1/a/
Цитата: Парфеньев Р В, Харус Г И, Цидильковский И М, Шалыт С С "Магнитофононный резонанс в полупроводниках" УФН 112 3–36 (1974)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Parfen’ev R V, Kharus G I, Tsidil’kovskii I M, Shalyt S S “Magnetophonon resonance in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 17 1–19 (1974); DOI: 10.1070/PU1974v017n01ABEH004314

Статьи, ссылающиеся на эту (28) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Hamaguchi Ch Basic Semiconductor Physics Graduate Texts in Physics Chapter 7 (2023) p. 375
  2. Poklonski N A, Dzeraviaha A N, Vyrko S A J Appl Spectrosc 87 652 (2020)
  3. Sokolovsky S, Dikarev B, Sokolovsky A 2019 IEEE 39th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), (2019) p. 317
  4. Bednarek S Journal of Magnetism and Magnetic Materials 264 251 (2003)
  5. Hamaguchi Ch Basic Semiconductor Physics Chapter 7 (2001) p. 261
  6. Bednarek S Journal of Magnetism and Magnetic Materials 202 574 (1999)
  7. Hai G -Q, Peeters F M Phys. Rev. B 60 16513 (1999)
  8. Bednarek S Materials Science and Engineering: B 54 196 (1998)
  9. Bednarek S Journal of Magnetism and Magnetic Materials 183 195 (1998)
  10. Bogod Yu A, Libinson A Solid State Communications 96 609 (1995)
  11. Kodess B N, Rakhmanov S Ya Solid State Communications 87 631 (1993)
  12. Sheregii E M Europhys. Lett. 18 325 (1992)
  13. FIRSOV Yu A, GUREVICH V L et al Modern Problems in Condensed Matter Sciences Vol. Landau Level SpectroscopyMagnetophonon Resonance27 (1991) p. 1181
  14. LEVINSON Y B Modern Problems in Condensed Matter Sciences Vol. Landau Level SpectroscopyPhonon-assisted Cyclotron Resonance27 (1991) p. 79
  15. Ugrin Yu O, Sheregii E M Physica Status Solidi (b) 166 249 (1991)
  16. Hamaguchi C, Mori N Physica B: Condensed Matter 164 85 (1990)
  17. Warmenbol P, Peeters F M, Devreese J T Phys. Rev. B 39 7821 (1989)
  18. Mori N, Taniguchi K et al J. Phys. C: Solid State Phys. 21 1791 (1988)
  19. Warmenbol P, Peeters F M, Devreese J T Phys. Rev. B 37 4694 (1988)
  20. Modern Problems in Condensed Matter Sciences Vol. Carrier Scattering in Metals and SemiconductorsReferences19 (1987) p. 429
  21. Nowak M Progress in Quantum Electronics 11 205 (1987)
  22. Nicholas R J Progress in Quantum Electronics 10 1 (1985)
  23. Bogod Yu A, Krasovitsky V B, Lemeshevskaya E T 9 16 (1983)
  24. Band Structure of Semiconductors (1982) p. 375
  25. Brandt N B, Bogdanov E V et al 6 501 (1980)
  26. Bauer G Physics of Nonlinear Transport in Semiconductors Chapter 8 (1980) p. 175
  27. Problems of Linear Electron (Polaron) Transport Theory in Semiconductors (1979) p. 925
  28. Zawadzki W, Bauer G et al Phys. Rev. Lett. 35 1098 (1975)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение