Выпуски

 / 

1971

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников

Содержание: Введение. Исследование структурных нарушений. Изменение электрических свойств полупроводников при бомбардировке ионами. Воздействие ионной бомбардировки на оптические и некоторые другие свойства полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,6 Мб)
PACS: 61.80.Jh, 61.82.Fk, 72.80.−r, 72.20.−i, 78.55.−m, 61.72.Ji (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0104.197105b.0015
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/
Цитата: Аброян И А "Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников" УФН 104 15–50 (1971)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T The effect of ion bombardment on the physical properties of semiconductors
%A I. A. Abroyan
%I Uspekhi Fizicheskikh Nauk
%D 1971
%J Usp. Fiz. Nauk
%V 104
%N 5
%P 15-50
%U https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0104.197105b.0015

English citation: Abroyan I A “The effect of ion bombardment on the physical properties of semiconductorsSov. Phys. Usp. 14 242–262 (1971); DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение