Выпуски

 / 

1969

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Диамагнитные экситоны в полупроводниках

 а,
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Мы рассмотрим эксперименты, которые доказывают экситонную природу осцилляции магнитопоглощения в германии. Разумеется, в сильном поле эффекты, свидетельствующие о существовании диамагнитных экситонов, должны наблюдаться и в других полупроводниках. При этом величина сильного поля, определяемого соотношением, зависит от свойств полупроводника.

Текст pdf (989 Кб)
PACS: 71.35.−y, 78.20.Ls, 78.20.Ci (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0097.196902a.0193
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1969/2/a/
Цитата: Захарченя Б П, Сейсян Р П "Диамагнитные экситоны в полупроводниках" УФН 97 193–210 (1969)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Diamagnetic excitons in semiconductors
A1 Zakharchenya,B.P.
A1 Seisyan,R.P.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1969
FD 10 Feb, 1969
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 97
IS 2
SP 193-210
DO 10.3367/UFNr.0097.196902a.0193
LK https://ufn.ru/ru/articles/1969/2/a/

English citation: Zakharchenya B P, Seisyan R P “Diamagnetic excitons in semiconductorsSov. Phys. Usp. 12 70–79 (1969); DOI: 10.1070/PU1969v012n01ABEH003918

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение