Выпуски

 / 

1969

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Диамагнитные экситоны в полупроводниках

 а,
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Мы рассмотрим эксперименты, которые доказывают экситонную природу осцилляции магнитопоглощения в германии. Разумеется, в сильном поле эффекты, свидетельствующие о существовании диамагнитных экситонов, должны наблюдаться и в других полупроводниках. При этом величина сильного поля, определяемого соотношением, зависит от свойств полупроводника.

Текст pdf (989 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1969v012n01ABEH003918
PACS: 71.35.−y, 78.20.Ls, 78.20.Ci (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0097.196902a.0193
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1969/2/a/
Цитата: Захарченя Б П, Сейсян Р П "Диамагнитные экситоны в полупроводниках" УФН 97 193–210 (1969)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Diamagnetic excitons in semiconductors
AU Zakharchenya, B. P.
AU Seisyan, R. P.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1969
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 97
IS 2
SP 193-210
UR https://ufn.ru/ru/articles/1969/2/a/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0097.196902a.0193

English citation: Zakharchenya B P, Seisyan R P “Diamagnetic excitons in semiconductorsSov. Phys. Usp. 12 70–79 (1969); DOI: 10.1070/PU1969v012n01ABEH003918

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение