Выпуски

 / 

1969

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Диамагнитные экситоны в полупроводниках

 а,
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Мы рассмотрим эксперименты, которые доказывают экситонную природу осцилляции магнитопоглощения в германии. Разумеется, в сильном поле эффекты, свидетельствующие о существовании диамагнитных экситонов, должны наблюдаться и в других полупроводниках. При этом величина сильного поля, определяемого соотношением, зависит от свойств полупроводника.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.35.−y, 78.20.Ls, 78.20.Ci (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0097.196902a.0193
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1969/2/a/
Цитата: Захарченя Б П, Сейсян Р П "Диамагнитные экситоны в полупроводниках" УФН 97 193–210 (1969)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Zakharchenya B P, Seisyan R P “Diamagnetic excitons in semiconductorsSov. Phys. Usp. 12 70–79 (1969); DOI: 10.1070/PU1969v012n01ABEH003918

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение