Работа написана в феврале 1936 г., опубликована в ЖЭТФ 6, 647 (1936) и Phys. Zs. Sowjetunion 9 (2/3), 158 (1936). Часть I воспроизводится по «Собр. избр. трудов», т. 2, М.-Л., Изд-во АН СССР, 1958, стр. 182. Часть II («Основы количественной теории») здесь не публикуется.

В части I показано, что поглощение света в кристаллическом диэлектрике может вызвать возбуждение последнего без ионизации; при этом «экситон», представляющий собой возбужденное состояние, должен двигаться в решетке кристалла таким же образом, как электрон или положительная дырка в случае ионизации. С поглощением фотона, вызывающим образование экситона, может быть связано испускание или поглощение одного фонона, а также передача квантованного импульса решетке в целом; этими обстоятельствами спектр поглощения значительно осложняется.
Вводя в рассмотрение искажение кристаллической решетки вблизи возбужденного атома, можно объяснить захват («прилипание») экситона, приводящий в конце концов к превращению его в большое количество фононов, что соответствует конечной стадии процесса превращения света в тепло в твердых телах.
Применение тех же принципов к электронам и положительным дыркам в оптически ионизованном кристалле позволяет объяснить явления «прилипания», характерные для диэлектриков и электронных полупроводников, не вводя представлений о физических неоднородностях или о химических примесях.