RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1966

 / 

Декабрь

←  →

Новые приборы и методы измерений


Лавинно-пролетный диод и его применение в технике СВЧ


Характерной особенностью развития современной радиотехники является быстрое продвижение полупроводниковых приборов в область сверхвысоких частот. Прогресс в этом направлении был достигнут в результате значительного усовершенствования технологии изготовления высокочастотных транзисторов, разработки туннельных диодов и диодов с переменной емкостью (варакторов). Хотя все эти приборы появились совсем недавно, они уже широко применяются в диапазоне СВЧ в качестве элементов высокочувствительных приемных устройств и умножительных цепочек.

Текст pdf (2,6 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1967v009n06ABEH003231
PACS: 85.30.Kk, 72.20.Ht, 84.47.+w (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0090.196612d.0631
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1966/12/d/
Цитата: Тагер А С "Лавинно-пролетный диод и его применение в технике СВЧ" УФН 90 631–666 (1966)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Tager A S “The avalanche-transit diode and its use in microwaves” Sov. Phys. Usp. 9 892–912 (1967); DOI: 10.1070/PU1967v009n06ABEH003231

Статьи, ссылающиеся на эту (23) ↓ Похожие статьи (1)

  1. Vyurkov V, Semenikhin I et al ITM Web Conf. 30 08001 (2019)
  2. Sizov F F Semicond. Phys. Quantum Electron. and Optoelectron. 22 67 (2019)
  3. Vyurkov V, Rogozhin A et al International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018, (2019) p. 106
  4. Vyurkov V V, Khabutdinov R R et al Russ Microelectron 47 290 (2018)
  5. (International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016) Vol. International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2016 Low-dimensional transit-time diodes for terahertz generation Vladimir F.LukichevKonstantin V.RudenkoR.KhabutdinovI.SemenikhinF.DavydovD.SvintsovV.VyurkovL.FedichkinK.RudenkoA. V.BorzdovV. M.Borzdov10224 (2016) p. 102240M
  6. Shashkina A S, Krivosheikin A V et al St. Petersburg Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 2 299 (2016)
  7. Greitans M, Aristov V N, Hermanis E Aut. Conrol Comp. Sci. 44 260 (2010)
  8. Alkeev N V, Averin S V et al Russ Microelectron 39 331 (2010)
  9. Kar S Micro & Optical Tech Letters 45 262 (2005)
  10. Niemcharoen S, Ando T et al Solid-State Electronics 46 481 (2002)
  11. Behr W, Luy J F IEEE Electron Device Lett. 11 206 (1990)
  12. Schlachetzki A Halbleiterbauelemente der Hochfrequenztechnik Chapter 2 (1984) p. 13
  13. Luryi S, Kazarinov R F Solid-State Electronics 25 943 (1982)
  14. Saxena P, Bahl K, Mathur P C Phys. Stat. Sol. (a) 64 K49 (1981)
  15. Harth W, Claassen M Halbleiter-Elektronik Vol. Aktive MikrowellendiodenLawinenlaufzeitdioden9 Chapter 3 (1981) p. 21
  16. Sharma V, Mathur P C Phys. Stat. Sol. (a) 44 401 (1977)
  17. Roy S K, Goswami P K Solid-State Electronics 19 707 (1976)
  18. Som B, Pal B B, Roy S K Solid-State Electronics 17 1029 (1974)
  19. NILSSON O, LTJNDGREN L International Journal of Electronics 34 33 (1973)
  20. Goedbloed J J, Vlaardingerbroek M T 3rd European Microwave Conference, 1973, (1973) p. 1
  21. Acket G A, Vlaardingerbroek M T Advances in Solid State Physics Vol. Festkörperprobleme 9Physical properties of transferred-electron and avalanche microwave devices9 Chapter 10 (1969) p. 280
  22. Acket G A, Vlaardingerbroek M T Festkörper Probleme IX (1969) p. 280
  23. Haitz R H, Voltmer F W 39 3379 (1968)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение