Процессы радиационной ионизации в кристаллах германия и кремния

Взаимодействие электромагнитного излучения и заряженных частиц с кристаллами может сопровождаться ионизацией, т. е. возникновением избыточных носителей тока. Эксперименты с монокристаллами кремния подтвердили теоретические предсказания о влиянии наложенного извне электрического поля на процесс фотоионизации. Исследование фотоионизации в глубине основной полосы оптического поглощения германия и кремния показало, что при достаточно больших энергиях фотонов квантовый выход возрастает до величин, значительно превосходящих единицу. В области энергий фотонов, во много раз превышающих ширину запрещенной полосы, квантовый выход пропорционален энергии фотона. В случае ионизации при прохождении быстрых заряженных частиц средняя энергия, приходящаяся на пару электрон—дырка, не зависит от энергии частицы.

Текст pdf (976 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 72.40.+w, 72.80.Cw, 72.20.Jv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0075.196110h.0263
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1961/10/h/
Цитата: Вавилов В С "Процессы радиационной ионизации в кристаллах германия и кремния" УФН 75 263–276 (1961)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Radiation ionization processes in germanium and silicon crystals
A1 Vavilov,V.S.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1961
FD 10 Oct, 1961
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 75
IS 10
SP 263-276
DO 10.3367/UFNr.0075.196110h.0263
LK https://ufn.ru/ru/articles/1961/10/h/

English citation: Vavilov V S “Radiation ionization processes in germanium and silicon crystals” Sov. Phys. Usp. 4 761–769 (1962); DOI: 10.1070/PU1962v004n05ABEH003376