Выпуски

 / 

1958

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Валентные полупроводники — германий и кремнии

Содержание: I. Элементы теории полупроводников 734 1. Идеальный кристалл 734 2. Нарушения кристаллической решетки 734 3. Распределение электронов 735 4. Примесный полупроводник 737 5. Эффективная масса 738 II. Свойства кристалла 739 6. Кристаллическая решетка 739 7. Оптические свойства и диэлектрическая постоянная 741 8. Магнитные свойства 742 9. Эффективная масса и структура энергетической зоны 744 10. Полоса запрещенных значений энергии 748 11. Примеси 752 12. Дефекты кристаллической решетки 756 III. Электропроводность 760 13. Общая теория 760 14. Электропроводность и эффект Холла 764 15. Магнетосопротивление 773 16. Термоэлектродвижущая сила 776 17. Проводимость в случае сильных полей. 18. Проводимость при низких температурах. 19. Проводимость при высоких частотах. IV. Рекомбинация и захват носителей. 20. Рекомбинация. 21. Явления захвата.
Из сборника «Solid State Physics» — Advances in Research and Applications, Редакторы сборника Ф. Зейтц и Д. Тернбал.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
DOI: 10.3367/UFNr.0064.195804e.0733
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1958/4/e/
Цитата: Фэн Г И "Валентные полупроводники — германий и кремнии" УФН 64 733–779 (1958)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение