Феноменологическая теория полупроводников, опирающаяся на уравнение электропроводности и диффузии носителей тока, уревнение Пуассона, экспоненциальную зависимость концентрации носителей тока от температуры и т. п., находится в сравнительно удовлетворительном состоянии в случае не слишком больших полей, не нарушающих теплового равновесия электроновпроводимости, а также когда можно пользоваться понятием локального теплового равновесия носителей тока (небольшая зависимостьхимического потенциала электронов от координат). Сюда относится: диффузионная теория выпрямителей с химическими и контактными запирающими слоями, теория контакта полупроводника с металлом; и контакта двух полупроводников, теория зависимости термоэлектронной работы выхода из полупроводника в вакуум от электрического" поля в вакууме (последнее проникает в полупроводник и постепенна экранируется в нём, вызывая «искривление» энергетических зон).