В первой части этого обзора, кроме введения и теплового равновесия электронов в решетке, будут еще рассмотрены: электропроводность в слабом поле, термоэлектрические, термо- и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках с атомной и ионной решеткой, а также электропроводность полупроводников в сильных полях. Во второй части будут разобраны диффузионные явления и связанные с ними эффекты выпрямления, фото-эдс, а также контактные сопротивления. Разделы первой части, посвященные полупроводникам с ионной решеткой, а также вся вторая часть являются изложением работ, выполненных в течение последних нескольких лет.

PT Journal Article
TI Теория электронных полупроводников. I
AU Давыдов Б И
FAU Давыдов БИ
AU Шмушкевич И М
FAU Шмушкевич ИМ
DP 10 May, 1940
TA Усп. физ. наук
VI 24
IP 5
PG 21-67
RX 10.3367/UFNr.0024.194005c.0021
URL https://ufn.ru/ru/articles/1940/5/c/
SO Усп. физ. наук 1940 May 10;24(5):21-67