Выпуски

 / 

1940

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Теория электронных полупроводников. I

В первой части этого обзора, кроме введения и теплового равновесия электронов в решетке, будут еще рассмотрены: электропроводность в слабом поле, термоэлектрические, термо- и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках с атомной и ионной решеткой, а также электропроводность полупроводников в сильных полях. Во второй части будут разобраны диффузионные явления и связанные с ними эффекты выпрямления, фото-эдс, а также контактные сопротивления. Разделы первой части, посвященные полупроводникам с ионной решеткой, а также вся вторая часть являются изложением работ, выполненных в течение последних нескольких лет.

Текст pdf (1,9 Мб)
DOI: 10.3367/UFNr.0024.194005c.0021
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1940/5/c/
Цитата: Давыдов Б И, Шмушкевич И М "Теория электронных полупроводников. I" УФН 24 21–67 (1940)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Davydov:1940,
	author = {Б. И. Давыдов and И. М. Шмушкевич},
	title = {Теория электронных полупроводников. I},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1940},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {24},
	number = {5},
	pages = {21-67},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1940/5/c/},
	doi = {10.3367/UFNr.0024.194005c.0021}
}
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение