В первой части этого обзора, кроме введения и теплового равновесия электронов в решетке, будут еще рассмотрены: электропроводность в слабом поле, термоэлектрические, термо- и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках с атомной и ионной решеткой, а также электропроводность полупроводников в сильных полях. Во второй части будут разобраны диффузионные явления и связанные с ними эффекты выпрямления, фото-эдс, а также контактные сопротивления. Разделы первой части, посвященные полупроводникам с ионной решеткой, а также вся вторая часть являются изложением работ, выполненных в течение последних нескольких лет.

TY JOUR
TI Теория электронных полупроводников. I
AU Давыдов, Б. И.
AU Шмушкевич, И. М.
PB Успехи физических наук
PY 1940
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 24
IS 5
SP 21-67
UR https://ufn.ru/ru/articles/1940/5/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0024.194005c.0021