В.А. Ткаченко



Институт физики полупроводников СО РАН
Адрес: просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация


Статьи

  1. З.Д. Квон, Л.В. Литвин, В.А. Ткаченко, А.Л. Асеев «Одноэлектронные транзисторы на основе эффектов кулоновской блокады и квантовой интерференции» 169 471–474 (1999)

См. также: З.Д. Квон, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев

PACS: 73.23.Hb

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение