Coulomb gap and metal–insulator transitions in doped semiconductors

TY JOUR
TI Coulomb gap and metal–insulator transitions in doped semiconductors
AU Zabrodskii, A. G.
PB Physics-Uspekhi
PY 1998
JO Physics-Uspekhi
JF Physics-Uspekhi
JA Phys. Usp.
VL 41
IS 7
SP 722-726
UR https://ufn.ru/en/articles/1998/7/g/
ER https://doi.org/10.1070/PU1998v041n07ABEH000422

Оригинал: Забродский А Г «Кулоновская щель и фазовый переход металл-изолятор в легированных полупроводниках» УФН 168 804–808 (1998); DOI: 10.3367/UFNr.0168.199807h.0804