Galvanomagnetic properties of a 2<i>D</i> electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistance

PACS: 72.20.My, 73.40.Qv, 73.43.Fj (all)
DOI: 10.1070/PU1985v028n07ABEH003876
URL: https://ufn.ru/en/articles/1985/7/g/
Citation: Pudalov V M, Semenchinskii S G "Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistance" Sov. Phys. Usp. 28 634–635 (1985)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

RT Journal
T1 Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistance
A1 Pudalov,V.M.
A1 Semenchinskii,S.G.
PB Physics-Uspekhi
PY 1985
FD 10 Jul, 1985
JF Physics-Uspekhi
JO Phys. Usp.
VO 28
IS 7
SP 634-635
DO 10.1070/PU1985v028n07ABEH003876
LK https://ufn.ru/en/articles/1985/7/g/

Оригинал: Пудалов В М, Семенчинский С Г «Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления» УФН 146 534–536 (1985); DOI: 10.3367/UFNr.0146.198507g.0534