Galvanomagnetic properties of a 2<i>D</i> electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistance

PACS: 72.20.My, 73.40.Qv, 73.43.Fj (all)
DOI: 10.1070/PU1985v028n07ABEH003876
URL: https://ufn.ru/en/articles/1985/7/g/
Citation: Pudalov V M, Semenchinskii S G "Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistance" Sov. Phys. Usp. 28 634–635 (1985)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

%0 Journal Article
%T Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistance
%A V. M. Pudalov
%A S. G. Semenchinskii
%I Physics-Uspekhi
%D 1985
%J Phys. Usp.
%V 28
%N 7
%P 634-635
%U https://ufn.ru/en/articles/1985/7/g/
%U https://doi.org/10.1070/PU1985v028n07ABEH003876

Оригинал: Пудалов В М, Семенчинский С Г «Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления» УФН 146 534–536 (1985); DOI: 10.3367/UFNr.0146.198507g.0534