Issues

 / 

1982

 / 

October

  

Meetings and conferences


Gapless semiconductors: A new class of substances

Fulltext pdf (98 KB)
Fulltext is also available at DOI: 10.1070/PU1982v025n10ABEH004619
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.1070/PU1982v025n10ABEH004619
URL: https://ufn.ru/en/articles/1982/10/h/
Citation: Tsidil’kovskii I M "Gapless semiconductors: A new class of substances" Sov. Phys. Usp. 25 762–763 (1982)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
RT Journal
T1 Gapless semiconductors: A new class of substances
A1 Tsidil’kovskii,I.M.
PB Physics-Uspekhi
PY 1982
FD 10 Oct, 1982
JF Physics-Uspekhi
JO Phys. Usp.
VO 25
IS 10
SP 762-763
DO 10.1070/PU1982v025n10ABEH004619
LK https://ufn.ru/en/articles/1982/10/h/

Оригинал: Цидильковский И М «Бесщелевые полупроводники — новый класс веществ» УФН 138 330–331 (1982); DOI: 10.3367/UFNr.0138.198210k.0330

© 1918–2024 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: ufn@ufn.ru Editorial office contacts About the journal Terms and conditions