Meetings and conferences

Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors

 a, , ,
a Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Leninsky prosp. 53, Moscow, 119991, Russian Federation
Text can be downloaded in Russian. English translation is available here.
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855
Citation: Basov N G, Kravchenko A B, Plotnikov A F, Shubin V É "Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors" Sov. Phys. Usp. 24 728–729 (1981)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
RT Journal
T1 Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors
A1 Basov,N.G.
A1 Kravchenko,A.B.
A1 Plotnikov,A.F.
A1 Shubin,V.É.
PB Physics-Uspekhi
PY 1981
FD 10 Aug, 1981
JF Physics-Uspekhi
JO Phys. Usp.
VO 24
IS 8
SP 728-729
DO 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855

Оригинал: Басов Н Г, Кравченко А Б, Плотников А Ф, Шубин В Э «Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники» УФН 134 748–750 (1981); DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108l.0748

© 1918–2019 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: Editorial office contacts About the journal Terms and conditions