79.60.Jv Interfaces; heterostructures; nanostructures
85.60.−q Optoelectronic devices
-
П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» 188 1249–1287 (2018)
68.65.Cd, 68.65.Pq, 73.21.Fg, 73.40.Gk, 73.50.−h, 85.30.Tv, 85.40.−e, 85.60.−q, 85.65.+h ()
-
И.В. Антонова «Применение материалов на основе графенав 2D печатных технологиях» 187 220–234 (2017)
68.65.Pq, 73.61.−r, 79.60.Jv ()
-
М.Я. Щелев «Пико-фемто-аттосекундная фотоэлектроника (взгляд через полувековую "лупу времени’)» 182 649–656 (2012)
06.60.Jn, 07.07.Hj, 85.60.−q ()
-
И.Е. Проценко, А.В. Усков «Фотоэмиссия из металлических наночастиц» 182 543–554 (2012)
42.79.Pw, 79.60.Jv, 85.60.Gz, 88.40.hj ()
-
А.Г. Витухновский «Прогресс в области источников света и дисплеев» 181 1341–1344 (2011)
01.65.+g, 78.55.−m, 85.60.−q ()
-
В.Ф. Елесин, Ю.В. Копаев «Лазер на «штарковской лестнице» с когерентной электронной подсистемой» 173 776–780 (2003)
73.23.−b, 79.60.Jv ()
-
Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)» 171 1365–1367 (2001)
71.24.+q, 73.40.Gk, 73.61.Ey, 73.61.Tm, 71.45.Gm, 71.55.Eq, 73.20.Mf, 73.61.−r, 85.30.Vw, 85.30.Tv, 03.75.Fi, 71.35.Lk, 71.35.Ji, 29.25.Bx, 29.27.Hj, 79.60.Jv ()
-
А.В. Субашиев «Эффективные эмиттеры поляризованных электронов на основе полупроводниковых наноструктур» 171 1376–1379 (2001)
29.25.Bx, 29.27.Hj, 79.60.Jv ()
-
А.Т. Рахимов «Автоэмиссионные катоды (холодные эмиттеры) на нанокристаллических углеродных и наноалмазных пленках (физика, технология, применение)» 170 996–999 (2000)
79.60.Jv, 79.70.+q, 85.45.−w, 85.60.Pg ()
-
З.Ф. Красильник, А.В. Новиков «Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy» 170 338–341 (2000)
79.60.Jv, 85.30.Vw, 85.60.−q ()
-
В.М. Агранович «Экситоны и оптические нелинейности в гибридных органических-неорганических наноструктурах» 169 348–348 (1999)
71.35.+z, 79.60.Jv
-
О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника» 151 732–733 (1987)
01.30.Vv, 01.30.Ee, 85.60.−q, 85.30.−z, 81.15.Gh, 81.15.Hi ()
-
Л.Н. Курбатов «Фотоэлектрические полупроводниковые приемники и новые методы приема излучения оптического диапазона» 108 601–603 (1972)
85.60.−q, 84.40.Ua, 42.79.Sz ()
-
А.И. Карташев, И.Ш. Эцин «Методы измерения малых изменений разности фаз в интерференционных устройствах» 106 687–721 (1972)
07.60.Ly, 06.30.Bp, 85.60.−q ()
|
