Указатель PACS

72.80.Ey III-V and II-VI semiconductors
  1. В.С. Вавилов, П.К. Эфимиу, Дж.Е. Зардас «Долговременная релаксация неравновесной фотопроводимости в полупроводниковых соединениях типа АIIIВV» 169 209–212 (1999)
    72.20.Jv, 72.40.+w, 72.80.Ey (все)
  2. В.С. Вавилов «Современные сведения о полупроводниках» 166 807–808 (1996)
    01.30.Kj, 73.61.−r, 72.80.Ey, 78.30.Fs (все)
  3. В.С. Вавилов «Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений» 164 287–296 (1994)
    72.80.Ey, 78.20, 85.60.G
  4. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» 152 583–622 (1987)
    71.10.Ca, 71.45.Lr, 72.20.My, 72.40.+w, 72.80.Ey (все)
  5. А.М. Белянцев, Ю.А. Романов «Классическая сверхрешетка — искусственный диэлектрик, нелинейные ВЧ эффекты» 146 341–343 (1985)
    72.20.Ht, 73.63.−b, 72.80.Ey (все)
  6. Я.А. Агаев «Исследования в области физики полупроводников в Физико-техническом институте АН ТуркмССР» 105 760–761 (1971)
    72.20.Pa, 72.20.My, 72.40.+w, 72.80.Ey (все)
  7. М.И. Дьяконов, Б.П. Захарченя и др. «Ориентация электронных спинов в полупроводниках» 105 772–774 (1971)
    72.20.Jv, 72.80.Ey, 78.20.−e, 78.55.Cr (все)
  8. А.Ф. Волков, Ш.М. Коган «Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью» 96 633–672 (1968)
    72.80.Ey, 72.20.Jv (все)
© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение