71.15.Mb Density functional theory, local density approximation, gradient and other corrections
77.55.D− High-permittivity gate dielectric films
85.30.−z Semiconductor devices
Г.Э. Норман, И.М. Саитов «Плазменный фазовый переход » 191 1153–1186 (2021)
31.15.E− , 52.25.Mq , 52.50.Lp , 52.65.−y , 64.70.Ja , 71.15.Mb (все )
С.Е. Куратов, Д.С. Шидловский и др. «Два масштаба квантовых эффектов в мезоскопической системе вырожденных электронов » 191 882–898 (2021)
31.15.E− , 71.10.Ca , 71.15.Mb , 73.20.−r (все )
А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН) » 189 803–848 (2019)
81.05.ue , 81.10.−h , 85.30.−z (все )
Р.А. Андриевский «Тугоплавкие соединения: новые подходы и результаты » 187 296–310 (2017)
61.46.−w , 61.66.Fn , 71.15.−m , 71.15.Mb (все )
Р.С. Берри, Б.М. Смирнов «Моделирование конфигурационных переходов в атомных системах » 183 1029–1057 (2013)
36.40.−c , 36.40.Ei , 64.70.D− , 71.15.Mb , 81.16.Hc , 82.30.−b (все )
Г.В. Шпатаковская «Квазиклассическая модель строения вещества » 182 457–494 (2012)
31.15.bt , 36.40.Cg , 52.25.Kn , 64.10.+h , 71.10.−w , 71.15.Mb (все )
В.А. Гриценко «Электронная структура нитрида кремния » 182 531–541 (2012)
71.15.Mb , 71.23.−k , 77.22.−d , 77.55.df , 77.84.Bw , 78.20.−e (все )
У.С. Бойл «ПЗС — расширение человеческого зрения » 180 1348–1349 (2010)
01.30.Bb , 85.30.−z , 85.60.Gz (все )
Дж.Е. Смит «История изобретения приборов с зарядовой связью » 180 1357–1362 (2010)
01.30.Bb , 85.30.−z , 85.60.Gz (все )
Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко «Применение и электронная структура диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью » 180 587–603 (2010)
71.15.Mb , 77.55.D− , 85.30.−z (все )
Е.Г. Максимов, А.Е. Каракозов «О неадиабатических эффектах в фононных спектрах металлов » 178 561–576 (2008)
71.15.Mb , 74.20.−z , 74.72.−h (все )
Е.Г. Максимов, О.В. Долгов «О возможных механизмах высокотемпературной сверхпроводимости » 177 983–988 (2007)
71.10.Ay , 71.15.Mb , 74.20.−z , 74.72.−h (все )
И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах » 176 1321–1339 (2006)
72.70.+m , 85.30.−z , 85.60.Dw (все )
Д.Р. Хохлов «Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов » 176 983 (2006)
01.10.Fv , 07.57.−c , 78.20.−e , 85.30.−z (все )
Е.Г. Максимов, М.В. Магницкая, В.Е. Фортов «Непростое поведение простых металлов при высоких давлениях » 175 793–813 (2005)
61.50.Ah , 62.50.+p , 61.66.−f , 71.15.Mb (все )
И.В. Грехов, Г.А. Месяц «Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов » 175 735–744 (2005)
84.70.+p , 85.30.−z , 85.30.Kk (все )
Е.Г. Максимов, В.И. Зиненко, Н.Г. Замкова «Расчеты физических свойств ионных кристаллов из первых принципов » 174 1145–1170 (2004)
61.50.Ah , 63.20.Dj , 71.15.Mb (все )
О.П. Пчеляков «Молекулярно-лучевая эпитаксия: оборудование, приборы, технология » 170 993–995 (2000)
07.07.−a , 81.15.Hi , 85.30.−z (все )
В.С. Вавилов «Полупроводники в современном мире » 165 591–594 (1995)
85.30.−z , 72.80.−r , 01.10.Fv (все )
Л.Н. Крыжановский «История изобретения и исследований когерера » 162 (4) 143–152 (1992)
85.30.−z , 84.32.Ff (все )
В.Е. Голант, Ю.В. Гуляев и др. «Жорес Иванович Алферов (К шестидесятилетию со дня рождения) » 160 (3) 152–155 (1990)
01.60.+q , 85.30.−z (все )
Б.Г. Идлис «Физика и технология субмикронных структур » 159 188–189 (1989)
01.30.Vv , 85.30.−z (все )
Ж.И. Алфёров, В.С. Вавилов и др. «Памяти Виктора Леопольдовича Бонч-Бруевича » 154 335–336 (1988)
01.60.+q , 01.10.Cr , 01.10.Fv , 85.30.−z , 68.43.Mn , 82.65.+r (все )
О.П. Заскалько «Пикосекундная электроника и оптоэлектроника » 151 732–733 (1987)
01.30.Vv , 01.30.Ee , 85.60.−q , 85.30.−z , 81.15.Gh , 81.15.Hi (все )
А.П. Александров, Ж.И. Алферов и др. «Владимир Максимович Тучкевич (К восьмидесятилетию со дня рождения) » 144 687–688 (1984)
01.60.+q , 85.30.−z (все )
Е.Г. Максимов «Использование ЭВМ в физике конденсированного состояния » 143 324–325 (1984)
71.15.Dx , 71.15.Mb , 71.20.−b , 71.45.Gm , 72.15.Qm (все )
А.Н. Георгобиани «Широкозонные полупроводники AII BVI и перспективы их применения » 113 129–155 (1974)
73.40.Lq , 78.60.Fi , 85.30.−z , 61.72.Ji (все )
М.И. Елинсон «Проблемы функциональной микроэлектроники » 109 764–765 (1973)
85.40.−e , 85.30.−z (все )
К.А. Валиев «Современная полупроводниковая микроэлектроника и перспективы ее развития » 109 765–768 (1973)
85.40.−e , 85.30.−z , 73.40.Kp , 73.40.Lq (все )
Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами » 108 598–600 (1972)
73.40.Kp , 85.30.−z , 85.60.Dw (все )
А.И. Воропинов, Г.М. Гандельман, В.Г. Подвальный «Электронные энергетические спектры и уравнение состояния твердых тел при высоких давлениях и температурах » 100 193–224 (1970)
71.20.Be , 64.30.+t , 62.50.+p , 71.20.Dg , 71.15.Mb (все )
Н.Н. Боголюбов «О принципе компенсации и методе самосогласованного поля » 67 549–580 (1959)
71.15.Mb , 74.20.−z , 74.25.Kc , 71.45.Gm , 71.15.Ap (все )