 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 4, 2024 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Указатель PACS
68.55.A− Nucleation and growth
81.05.ug Diamond
81.10.−h Methods of crystal growth; physics and chemistry of crystal growth, crystal morphology, and orientation
82.33.Ya Chemistry of MOCVD and other vapor deposition methods
-
А.Г. Сыромятников, С.В. Колесников и др. «Формирование и свойства металлических атомных цепочек и проводов» 191 705–737 (2021)
05.10.Ln, 61.46.−w, 68.55.A−, 68.65.−k, 73.63.Rt, 75.75.−c () -
А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 803–848 (2019)
81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z () -
Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Нетрадиционный синтез нано- и микрокристаллических алмазов при высоких статических давлениях» 189 208–216 (2019)
62.50.−p, 81.05.ug, 81.40.Vw () -
В.П. Филоненко, И.П. Зибров и др. «Сверхтвёрдые композиты на основе алмаза: новые подходы в синтезе и перспективы применения» 189 217–222 (2019)
81.10.−h, 89.20.Bb () -
Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» 187 577–598 (2017)
33.15.Pw, 33.50.Dq, 42.50.Ex, 61.46.−w, 61.71.U-, 63.20.kp, 63.20.Pw, 78.55.−m, 81.10.−h () -
А.К. Ребров «Возможности газофазного синтеза алмазных структур» 187 193–200 (2017)
34.35.+a, 68.43.−h, 81.05.ug () -
И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света» 186 504–517 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком» 186 518–523 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN» 186 524–536 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
В.Л. Цымбаленко «Удивительный рост граней кристалла гелия» 185 1163–1178 (2015)
67.80.−s, 81.10.−h () -
Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера» 185 143–159 (2015)
68.55.A−, 81.05.ug, 81.10.−h, 82.33.Ya () -
А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии» 178 243–266 (2008)
44.05.+e, 81.10.−h, 87.15.Aa, 87.54.Br () -
Н.А. Бенделиани «Гидротермальное выращивание стишовита (SiO2)» 172 485–486 (2002)
81.10.−h -
В.А. Бородин «Создание оборудования нового поколения для роста кристаллов из расплава. Развитие Экспериментального завода научного приборостроения РАН в новых экономических условиях» 170 999–1002 (2000)
07.90.+c, 81.10.−h, 81.10.Fq () -
В.И. Александров, Т.Т. Басиев и др. «Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)» 162 (4) 165–167 (1992)
01.60.+q, 81.10.−h () -
Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» 161 (1) 71–142 (1991)
74.72.−h, 74.62.Bf, 81.10.−h, 74.25.Dw, 61.66.Fn () -
В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния» 160 (6) 168–170 (1990)
01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z () -
А.А. Ширяев «Алмазная фаза углерода в космосе и возможности ее обнаружения спектроскопическими методами», принята к публикации
81.05.ug, 95.85.−e, 78.40.−q, 71.55.Ak, 61.46.Df ()
|
© Успехи физических наук, 1918–2024 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |