 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 4, 2024 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Указатель PACS
67.80.−s Quantum solids
81.10.−h Methods of crystal growth; physics and chemistry of crystal growth, crystal morphology, and orientation
-
А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 803–848 (2019)
81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z () -
В.П. Филоненко, И.П. Зибров и др. «Сверхтвёрдые композиты на основе алмаза: новые подходы в синтезе и перспективы применения» 189 217–222 (2019)
81.10.−h, 89.20.Bb () -
А.Ф. Андреев, Л.А. Мельниковский «Равновесная форма поверхности кристаллов 4He вблизи критических ориентаций» 188 1199–1202 (2018)
05.70.Np, 67.80.−s, 68.35.−p, 68.35.Rh () -
Ю.Е. Лозовик «Новые эффекты и управление в системе экситонов в квазидвумерных структурах» 188 1203–1208 (2018)
03.75.Nt, 67.80.−s, 73.21.Fg, 71.35.−y, 71.45.−d () -
Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» 187 577–598 (2017)
33.15.Pw, 33.50.Dq, 42.50.Ex, 61.46.−w, 61.71.U-, 63.20.kp, 63.20.Pw, 78.55.−m, 81.10.−h () -
И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света» 186 504–517 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком» 186 518–523 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN» 186 524–536 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw () -
В.Л. Цымбаленко «Удивительный рост граней кристалла гелия» 185 1163–1178 (2015)
67.80.−s, 81.10.−h () -
Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера» 185 143–159 (2015)
68.55.A−, 81.05.ug, 81.10.−h, 82.33.Ya () -
А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии» 178 243–266 (2008)
44.05.+e, 81.10.−h, 87.15.Aa, 87.54.Br () -
Н.А. Бенделиани «Гидротермальное выращивание стишовита (SiO2)» 172 485–486 (2002)
81.10.−h -
В.А. Бородин «Создание оборудования нового поколения для роста кристаллов из расплава. Развитие Экспериментального завода научного приборостроения РАН в новых экономических условиях» 170 999–1002 (2000)
07.90.+c, 81.10.−h, 81.10.Fq () -
А.Ф. Андреев «Новые квантовые состояния кристаллов гелия» 164 1277–1278 (1994)
01.10.Fv, 67.80.−s () -
В.И. Александров, Т.Т. Басиев и др. «Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)» 162 (4) 165–167 (1992)
01.60.+q, 81.10.−h () -
Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» 161 (1) 71–142 (1991)
74.72.−h, 74.62.Bf, 81.10.−h, 74.25.Dw, 61.66.Fn () -
В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния» 160 (6) 168–170 (1990)
01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z () -
А.Ф. Андреев, А.С. Боровик-Романов и др. «Памяти Александра Иосифовича Шальникова» 151 725–726 (1987)
01.60.+q, 01.10.Cr, 07.07.Hj, 07.30.−t, 74.78.−w, 67.80.−s () -
Г.А. Варданян «Квазичастицы в квантовых кристаллах» 144 113–140 (1984)
67.80.−s, 65.40.Ba, 64.75.+g () -
А.Я. Паршин «Кристаллизационные волны в Не4» 135 175–178 (1981)
67.80.−s, 64.70.Dv () -
А.В. Соколов, В.П. Широковский «Метод теории групп в квантовой физике твердого тела (пространственная симметрия)» 71 485–513 (1960)
61.50.Ah, 71.70.Ch, 71.15.−m, 71.70.Ej, 67.80.−s ()
|
© Успехи физических наук, 1918–2024 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |