42.72.Bj Visible and ultraviolet sources 81.10.−h Methods of crystal growth; physics and chemistry of crystal growth, crystal morphology, and orientation 85.60.Dw Photodiodes; phototransistors; photoresistors

А.А. Лебедев, П.А. Иванов и др. «Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» 189 803–848 (2019)
81.05.ue, 81.10.−h, 85.30.−z (все)
В.П. Филоненко, И.П. Зибров и др. «Сверхтвёрдые композиты на основе алмаза: новые подходы в синтезе и перспективы применения» 189 217–222 (2019)
81.10.−h, 89.20.Bb (все)
Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» 187 577–598 (2017)
33.15.Pw, 33.50.Dq, 42.50.Ex, 61.46.−w, 61.71.U-, 63.20.kp, 63.20.Pw, 78.55.−m, 81.10.−h (все)
И. Акасаки «Увлекательные приключения в поисках синего света» 186 504–517 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
Х. Амано «Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком» 186 518–523 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
Ш. Накамура «История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN» 186 524–536 (2016)
42.72.Bj, 81.10.−h, 85.60.Dw (все)
В.Л. Цымбаленко «Удивительный рост граней кристалла гелия» 185 1163–1178 (2015)
67.80.−s, 81.10.−h (все)
А.С. Бугаев, В.Б. Киреев и др. «Катодолюминесцентные источники света (современное состояние и перспективы)» 185 853–883 (2015)
42.72.Bj, 85.60.Jb, 88.05.Tg (все)
Р.А. Хмельницкий «Перспективы выращивания монокристаллического алмаза большого размера» 185 143–159 (2015)
68.55.A−, 81.05.ug, 81.10.−h, 82.33.Ya (все)
А.Г. Витухновский «Органическая фотоника: успехи и разочарования» 183 653–657 (2013)
42.70.Jk, 85.60.Dw, 85.60.Pg (все)
А.И. Жмакин «Физические основы криобиологии» 178 243–266 (2008)
44.05.+e, 81.10.−h, 87.15.Aa, 87.54.Br (все)
И.И. Таубкин «Фотоиндуцированные и тепловые шумы в полупроводниковых p-n переходах» 176 1321–1339 (2006)
72.70.+m, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
М.И. Ломаев, В.С. Скакун и др. «Эксилампы — эффективные источники спонтанного УФ- и ВУФ-излучения» 173 201–217 (2003)
07.60.−j, 42.72.Bj, 52.80.−s (все)
Н.А. Бенделиани «Гидротермальное выращивание стишовита (SiO₂)» 172 485–486 (2002)
81.10.−h
В.А. Бородин «Создание оборудования нового поколения для роста кристаллов из расплава. Развитие Экспериментального завода научного приборостроения РАН в новых экономических условиях» 170 999–1002 (2000)
07.90.+c, 81.10.−h, 81.10.Fq (все)
В.И. Александров, Т.Т. Басиев и др. «Вячеслав Васильевич Осико (К шестидесятилетию со дня рождения)» 162 (4) 165–167 (1992)
01.60.+q, 81.10.−h (все)
В.В. Майер, Р.В. Майер «Демонстрация акустического эффекта Допплера» 161 (3) 149–153 (1991)
43.28.Py, 43.38.Kb, 43.66.Lj, 85.60.Jb, 85.60.Dw (все)
Л.Н. Демьянец «Высокотемпературные сверхпроводники: получение монокристаллов» 161 (1) 71–142 (1991)
74.72.−h, 74.62.Bf, 81.10.−h, 74.25.Dw, 61.66.Fn (все)
В.Б. Тимофеев «Современное состояние технологии и материаловедения полупроводникового кремния» 160 (6) 168–170 (1990)
01.30.Vv, 85.40.−e, 81.10.−h, 81.15.−z (все)
В.К. Попов «Мощные эксимерные лазеры и новые источники когерентного излучения в вакуумном ультрафиолете» 147 587–604 (1985)
42.55.Lt, 42.65.Re, 42.65.Ky, 42.65.Dr, 42.60.Jf, 42.72.Bj (все)
Ж.И. Алфёров «Полупроводниковые приборы с гетеропереходами» 108 598–600 (1972)
73.40.Kp, 85.30.−z, 85.60.Dw (все)
В.В. Фадеев «Ультрафиолетовые лазеры на органических сцинтилляторах» 101 79–80 (1970)
42.55.Ks, 42.55.Rz, 42.70.Mp, 42.70.Hj, 42.70.Jk, 42.72.Bj (все)
И.С. Маршак «Сильноточные импульсные (искровые) разряды в газах, применяемые в импульсных источниках света» 77 229–286 (1962)
52.80.Mg, 42.72.Bj, 51.50.+v (все)
С.Н. Соколов, Л.Н. Эрастов «Демонстрация цепной реакции на модели» 70 377–379 (1960)
42.72.Bj, 84.32.Dd, 89.20.Kk (все)

Указатель PACS