Cтатьи, принятые к публикации

Обзоры актуальных проблем


Горячие электроны в оксиде кремния


Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Аморфный оксид кремния SiO2 является ключевым диэлектриком в технологии и конструкции кремниевых приборов. Оксид кремния используется, в частности, в качестве туннельного диэлектрика в флэш приборах памяти. Пробивное поле SiO2 превышает 107 В/см. В сильных электрических полях в SiO2 разыгрываются явления, которые не наблюдаются в кристаллических полупроводниках. В относительно слабых электрических полях (104—1×106 В/cм) функция распределения определяется рассеянием электронов на продольных оптических фононах. В полях >106 В/cм функция распределения определяется рассеянием электронов на акустических фононах.

Ключевые слова: оксид кремния, горячие электроны, рассеяние, оптические фононы
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008
Цитата: Гриценко В А "Горячие электроны в оксиде кремния" УФН, принята к публикации

Поступила: 2 сентября 2016, доработана: 7 декабря 2016, 8 декабря 2016

English citation: Gritsenko V A “Hot electrons in silicon oxidePhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2016.12.038008

© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение