Cтатьи, принятые к публикации

Обзоры актуальных проблем


Солнечные преобразователи третьего поколения: на основе Cu-In-Ga-(S,Se)

,
Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

Представлен обзор литературных данных по тонкопленочным солнечным элементам с поглощающими слоями на основе четверных соединений меди типа Cu-In-Ga-(S,Se) (CIGS). Рассмотрены способы приготовления поглощающих слоев CIGS, химический состав, особенности конструкции солнечных элементов на основе CIGS и принципы функционирования. Публикации последних лет в совокупности свидетельствуют о наметившихся изменениях в характере исследований: важные результаты были получены благодаря численному моделированию процессов в тонкопленочных солнечных элементах, активизировались исследования роли градиентов концентрации элементов в структуре CIGS, роли неоднородного пространственного распределения ширины запрещенной зоны, роли границ между зернами слоев, а также кинетические исследования.

Ключевые слова: солнечные преобразователи
DOI: 10.3367/UFNr.2016.06.037827
Цитата: Новиков Г Ф, Гапанович М В "Солнечные преобразователи третьего поколения: на основе Cu-In-Ga-(S,Se)" УФН, принята к публикации

Поступила: 23 марта 2016, доработана: 3 июня 2016, 9 июня 2016

English citation: Novikov G F, Gapanovich M V “Solar inverters third generation: based on Cu-In-Ga- (S, Se)Phys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2016.06.037827

© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение