Выпуски

 / 

2005

 / 

Октябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Представлен обзор и критический анализ результатов исследований температурных зависимостей поверхностного импеданса Z(T) = R(T) + iX(T) и комплексной проводимости (T) = σ(T)-iσ"(T) в ab-плоскостях и вдоль с-оси кристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Рассмотрен электродинамический метод извлечения всех компонент тензоров σ(T) и Z(T) из измеряемых в микроволновом эксперименте величин. Основное внимание уделяется эволюции зависимостей Z(T) и σ(T) в кристалле YВа2Сu3O7-x при вариациях кислородного допирования в нем. Обсуждаются возможные механизмы проводимости в рамках моделей нормального, сверхпроводящего и псевдощелевого состояний ВТСП.

Текст pdf (607 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n10ABEH005560
PACS: 74.20.De, 74.25.Dw, 74.25.Fy, 74.25.Nf, 74.72.−h (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200510a.1017
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/10/a/
000235238900001
Цитата: Трунин М Р "Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников" УФН 175 1017–1037 (2005)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников
AU Трунин, М. Р.
PB Успехи физических наук
PY 2005
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 175
IS 10
SP 1017-1037
UR https://ufn.ru/ru/articles/2005/10/a/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0175.200510a.1017

English citation: Trunin M R “Conductivity anisotropy and pseudogap in the microwave response of high-Tc superconductorsPhys. Usp. 48 979–998 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n10ABEH005560

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение