Выпуски

 / 

2005

 / 

Октябрь

  



Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников


Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская область, Российская Федерация

Представлен обзор и критический анализ результатов исследований температурных зависимостей поверхностного импеданса Z(T) = R(T) + iX(T) и комплексной проводимости (T) = σ(T)-iσ"(T) в ab-плоскостях и вдоль с-оси кристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Рассмотрен электродинамический метод извлечения всех компонент тензоров σ(T) и Z(T) из измеряемых в микроволновом эксперименте величин. Основное внимание уделяется эволюции зависимостей Z(T) и σ(T) в кристалле YВа2Сu3O7-x при вариациях кислородного допирования в нем. Обсуждаются возможные механизмы проводимости в рамках моделей нормального, сверхпроводящего и псевдощелевого состояний ВТСП.

Текст: pdf (607 Кб)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200510a.1017
URL: http://ufn.ru/ru/articles/2005/10/a/
Цитата: Трунин М Р "Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников" УФН 175 1017–1037 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Trunin M R “Conductivity anisotropy and pseudogap in the microwave response of high-Tc superconductorsPhys. Usp. 48 979–998 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n10ABEH005560

© Успехи физических наук, 1918–2014
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение