Выпуски

 / 

2001

 / 

Июнь

  

Обзоры актуальных проблем


Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах

 а,  б
а Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, ул. Косыгина 2, Москва, 117334, Российская Федерация
б Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН, Москва, Российская Федерация

Анализируются механизмы электронного фазового расслоения в оксидных материалах типа манганитов. Рассмотрение проводится в рамках простой модели кондо-решетки с межузельным кулоновским отталкиванием электронов. Эта модель позволяет выявить неустойчивость однородного магнитного или зарядового упорядочения относительно образования капельных структур (магнитных поляронов) в широкой области параметров фазовой диаграммы. Исследуются различные типы и формы магнитных поляронов. Обсуждаются транспортные характеристики и спектр шумов в фазово-расслоенном состоянии.

Текст pdf (588 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n06ABEH000917
PACS: 64.75.+g, 71.27.+a, 72.10.−d, 75.30.Vn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200106a.0577
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/6/a/
000173336200001
Цитата: Каган М Ю, Кугель К И "Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах" УФН 171 577–596 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kagan M Yu, Kugel’ K I “Inhomogeneous charge distributions and phase separation in manganitesPhys. Usp. 44 553–570 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n06ABEH000917

Список литературы (66) Статьи, ссылающиеся на эту (221) Похожие статьи (20) ↓

  1. Э.Л. Нагаев «Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением» 166 833–858 (1996)
  2. Ю.А. Изюмов, Ю.Н. Скрябин «Модель двойного обмена и уникальные свойства манганитов» 171 121–148 (2001)
  3. Э.Л. Нагаев «Разделение фаз в высокотемпературных сверхпроводниках и родственных им магнитных материалах» 165 529–554 (1995)
  4. К.И. Кугель, Д.И. Хомский «Эффект Яна — Теллера и магнетизм: соединения переходных металлов» 136 621–664 (1982)
  5. Н.Г. Бебенин, Р.И. Зайнуллина, В.В. Устинов «Манганиты с колоссальным магнетосопротивлением» 188 801–820 (2018)
  6. М.А. Кривоглаз «Флуктуонные состояния электронов» 111 617–654 (1973)
  7. А.П. Силин «Полупроводниковые сверхрешетки» 147 485–521 (1985)
  8. М.Ю. Каган, В.А. Мицкан, М.М. Коровушкин «Аномальная сверхпроводимость и сверхтекучесть в фермионных системах с отталкиванием» 185 785–815 (2015)
  9. М.В. Садовский «Псевдощель в высокотемпературных сверхпроводниках» 171 539–564 (2001)
  10. Н.Б. Иванова, С.Г. Овчинников и др. «Особенности спинового, зарядового и орбитального упорядочений в кобальтитах» 179 837–860 (2009)
  11. А.П. Пятаков, А.К. Звездин «Магнитоэлектрические материалы и мультиферроики» 182 593–620 (2012)
  12. Ю.А. Изюмов «Сильно коррелированные электроны: t-J-модель» 167 465–497 (1997)
  13. В.В. Вальков, Д.М. Дзебисашвили и др. «Спин-поляронная концепция в теории нормального и сверхпроводящего состояний купратов» 191 673–704 (2021)
  14. Е.Г. Максимов «Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. Современное состояние» 170 1033–1061 (2000)
  15. С.Г. Овчинников «Квазичастицы в сильно коррелированной электронной системе оксидов меди» 167 1043–1068 (1997)
  16. Н.В. Волков «Спинтроника: магнитные туннельные структуры на основе манганитов» 182 263–285 (2012)
  17. К.В. Мицен, О.М. Иваненко «Фазовая диаграмма La2-xMxCuO4 как ключ к пониманию природы ВТСП» 174 545–563 (2004)
  18. Ю.А. Изюмов «Модель Хаббарда в режиме сильных корреляций» 165 403–427 (1995)
  19. В.З. Кресин, Ю.Н. Овчинников ««Гигантское» усиление сверхпроводящего спаривания в металлических нанокластерах: сильное увеличение температуры перехода и возможность сверхпроводимости при комнатной температуре» 178 449–458 (2008)
  20. Э.З. Кучинский, И.А. Некрасов, М.В. Садовский «Обобщённая теория динамического среднего поля в физике сильнокоррелированных систем» 182 345–378 (2012)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение