Выпуски

 / 

1999

 / 

Сентябрь

  



Процессы самоорганизации дислокаций и пластичность кристаллов


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург

Обсуждается проблема теоретического описания эволюции дислокационного ансамбля в пластически деформируемом кристалле с учетом его реальной структуры. Формулируются кинетические уравнения для плотности дислокаций, включающие в себя процессы генерации дислокаций из источников, иммобилизации, размножения, аннигиляции и диффузии дислокаций. С помощью уравнений проводится количественный анализ первых трех стадий кривых деформационного упрочнения кристаллов. Рассматриваются процессы самоорганизации дислокаций в дислокационном ансамбле, вызывающие локализацию деформации и образование в кристалле различных неоднородных дислокационных структур. Детально излагаются механизмы образования линий и полос скольжения, бездефектных (аннигиляционных) каналов при пластической деформации закаленных или облученных кристаллов, механизм образования ячеистых дислокационных структур. Теоретические результаты сопоставляются с экспериментом.

Текст: pdf (798 Кб)
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199909c.0979
URL: http://ufn.ru/ru/articles/1999/9/c/
Цитата: Малыгин Г А "Процессы самоорганизации дислокаций и пластичность кристаллов" УФН 169 979–1010 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Malygin G A “Dislocation self-organization processes and crystal plasticityPhys. Usp. 42 887 (1999); DOI: 10.1070/pu1999v042n09ABEH000563

© Успехи физических наук, 1918–2014
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение