Выпуски

 / 

1998

 / 

Июнь

  

Специальный выпуск


Резонансное туннелирование в высокотемпературных сверхпроводниках


Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois, USA

Обзор работ автора по резонансному туннелированию, как механизму переноса электронов вдоль оси c в высокотемпературных слоистых купратах. Сформулирована задача и описаны качественные принципы механизма, проведен расчет реальных физических свойств и сравнение с экспериментальными данными для температурной зависимости проводимости в нормальном состоянии, частотной зависимости оптической проводимости и стационарного сверхпроводящего тока вдоль оси c. Показано, что для последнего первостепенное значение имеет когерентность резонансного туннелирования через разные центры. Предложено объяснение резкого уменьшения Tc и роста отношения 2Δ(0)/Tc при уменьшении концентрации кислорода, основанное на ослаблении связи между плоскостями и возникновении вихревых флуктуаций. Некоторые важные черты резонансного туннелирования продемонстрированы на простых моделях.

Текст: pdf (739 Кб)
PACS: 74.25.−q, 74.50.+r, 74.72.−h (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0168.199806i.0683
URL: http://ufn.ru/ru/articles/1998/6/i/
Цитата: Абрикосов А А "Резонансное туннелирование в высокотемпературных сверхпроводниках" УФН 168 683–695 (1998)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Abrikosov A A “Resonant tunneling in high-Tc superconductorsPhys. Usp. 41 605–616 (1998); DOI: 10.1070/PU1998v041n06ABEH000411

© Успехи физических наук, 1918–2017
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение