Выпуски

 / 

1985

 / 

Июль

  

Совещания и конференции


Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

30 и 31 января 1985 г. в Физическом институте им. П. Н. Лебедева АН СССР состоялась совместная научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики АН СССР. На сессии были заслушаны доклады:

30 января
1. С. М. А п е н к о, Ю. Е. Л о з о в и к, В. М. Ф а р з т д и н о в. Двумерный электронный газ в сильных магнитных полях и квантованный эффект Холла.
2. Ю. А. Б ы ч к о в, Э. И. Р а ш б а. Спектр двумерного электронного газа в инверсионных слоях.
3. В. М. П у д а л о в , С. Г. С е м е н ч и н с к и й . Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления.
4. В. С. П у д а л о в, С. Г. С е м е н ч и н с к и й, В. С. Э д е л ь м а н. Заряд и потенциал инверсионного слоя МДП-структуры в квантующем магнитном поле.

31 января
5. А. И. Б у р ш т е й н. Коллапс и сужение спектров при конденсации газов.
6. А. В. З а л е с с к и й . Доменные стенки в магнетиках по данным ЯМР спектроскопии.
Краткое содержание пяти докладов приводится ниже.

Текст pdf (304 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1985v028n07ABEH003876
PACS: 72.20.My, 73.40.Qv, 73.43.Fj (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0146.198507g.0534
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/7/g/
Цитата: Пудалов В М, Семенчинский С Г "Изучение гальвано-магнитных свойств двумерного слоя электронов в кремнии в условиях квантования холловского сопротивления" УФН 146 534–536 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Pudalov V M, Semenchinskii S G “Galvanomagnetic properties of a 2D electron layer in silicon under conditions of a quantized Hall resistanceSov. Phys. Usp. 28 634–635 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n07ABEH003876

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение