Выпуски

 / 

1976

 / 

Апрель

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые алмазы

 а,
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Содержание: Введение. Зонная структура алмаза. Теоретические исследования. Экспериментальные данные оптических исследований. Край основной полосы поглощения. Оптические исследования электронных переходов в глубине зоны. Экспериментальные исследования рекомбинационного излучения. Эффективные массы дырок и спин-орбитальное расщепление валентной зоны алмаза. Подвижность электронов и дырок в алмазе. Фотоионизация и ионизация заряженными частицами. Природные полупроводниковые алмазы p-типа. Энергия ионизации и возбужденные состояния акцепторов. Природа акцепторных центров. Термо-э. д. с. Синтетические полупроводниковые алмазы. Азотные центры в алмазе. Полупроводниковые алмазы, полученные методом внедрения ионов. Перспективы практических применений полупроводниковых алмазов. Цитированная литература.

Текст pdf (2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1976v019n04ABEH005251
PACS: 71.30.Mw, 71.50.+t, 72.80.Le, 78.60.Dg
DOI: 10.3367/UFNr.0118.197604c.0611
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1976/4/c/
Цитата: Вавилов В С, Конорова Е А "Полупроводниковые алмазы" УФН 118 611–639 (1976)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vavilov V S, Konorova E A “Semiconducting diamondsSov. Phys. Usp. 19 301–316 (1976); DOI: 10.1070/PU1976v019n04ABEH005251

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение